S-Litho 2024破解版|Synopsys S-Litho.2024.03 光刻仿真免费下载-闪电软件园

　　　　　　　　 Synopsys S-Litho.2024的能力在于预测光刻仿真，主要目的是加速工艺开发以及有效提升产量，减少成本和资源的投入，提供最先进的技术和最强大的性能以及完整的工具，符合行业标准，涵盖广泛的图案化技术，可彻底分析曝光工具成像系统内的工艺限制效应，提供所

Synopsys S-Litho.2024的能力在于预测光刻仿真，主要目的是加速工艺开发以及有效提升产量，减少成本和资源的投入，提供最先进的技术和最强大的性能以及完整的工具，符合行业标准，涵盖广泛的图案化技术，可彻底分析曝光工具成像系统内的工艺限制效应，提供所需要的各种建模功能，丰富的模块解决各种挑战。S-Litho GUI提供对所有模拟设置参数的完全访问，并能够对结果进行高效和强大的分析！

软件功能

1、S-Litho优势

•预测工艺变化对光刻性能的影响，而无需进行昂贵的实验

•解决复杂的工艺集成技术，如多重图案化，缩短工艺开发时间

•在光刻设备准备就绪之前，支持当前和未来技术节点的光刻策略路径查找

•尽早开发用于校正和验证的掩模合成解决方案，缩短周期时间，加快产量增长，从而缩短上市时间

2、S-Litho介绍和关键功能

S-Litho提供了一套全面的特征集，利用计算光刻的预测能力，经济高效地探索复杂的技术选择。所有功能都嵌入在直观的图形用户界面中（图1），使工程师能够轻松浏览各种光刻模拟功能。S-Litho支持最先进工艺技术的仿真设置和分析功能：

•通过表征最相关曝光工具属性的参数来模拟真实的模拟条件

•通过导入任意布局片段和创建可编程、参数化的测试模式，具有高度的灵活性

•通过多维参数分析、过程窗口评估和优化进行强大的评估

•通过物理模型在集成校准环境中构建精确的3D抗蚀剂轮廓表示

3、DUV（光学）光刻模拟

在当今的IC制造中，DUV（即光学）光刻工艺是大批量生产中关键层最常用的图案化技术步骤。S-Litho能够模拟影响曝光工具/抗蚀剂处理系统光刻性能的所有相关效应：

•从通过i线的宽带曝光到ArF浸没投影光刻

•全面的掩模处理，包括掩模形貌引起的传输和相位效应

•精确处理预图案化的晶片，例如用于注入层或晶片对准标记

•高级抗蚀剂加工，包括负色调显影（NTD）、抗蚀剂收缩和显影后烘烤步骤（回流）

4、近距离印刷——光刻模拟

在微机电系统（MEMS）或现代平板显示器（FPD）的制造过程中，经典的邻近印刷技术用于光刻图案化。随着曝光工具的分辨率接近极限，模拟对于工艺优化变得至关重要。模拟引擎已经过调整，可以有效地解决邻近打印的特定参数，如间隙大小。不同的图案化技术，如灰度光刻，和抗蚀剂处理步骤，如抗蚀剂回流，可用于设计3D抗蚀剂轮廓目标形状

5、EUV光刻模拟

EUV光刻技术已被引入大批量生产，用于在N7技术节点打印最关键的特征。必须理解并准确量化由图像和抗蚀剂图案形成过程的EUV特定特性引起的影响。仿真使复杂的灵敏度研究能够评估适当的补偿策略，验证紧凑的模型并开发OPC解决方案。

EUV光刻专用模拟功能包括：

•反射EUV掩模的非远心照明，包括形貌效应、图案偏移、阴影等。

•多层缺陷的印刷性评估

•通过狭缝像差和光源特性

•纳米缺陷的随机建模、线边缘粗糙度（LER）表征和预测（图3）

•先进的EUV抗蚀剂工艺和基于金属氧化物簇的抗蚀剂等新型材料

•覆盖高NA投影和变形成像，解决下一代EUV光刻挑战

6、电子束光刻模拟

传统上，电子束光刻用于定义光掩模上吸收层内的图案。此外，它可以应用于在基板上直接写入特定于器件的结构（无掩模光刻），在器件原型制作过程中为DUV/EUV光刻提供了一种替代方案。S-Litho解决了电子束辅助图案化、掩模写入以及晶片直接写入的使用模型。

模拟基于潜在非均匀基底中电子散射的特性。详细了解掩模吸收器图案化过程以及由此产生的掩模特性，如拐角圆角和滑动壁角度，对于创建部署在全芯片光学邻近校正（OPC）和验证中的模型至关重要。

7、自动化和并行化

S-Litho提供了许多预定义的分析功能，并支持对任何给定参数空间进行灵活的多维参数探索。最先进的多核处理器或计算集群可用于并行计算，并在不牺牲精度的情况下显著减少仿真时间。内置的应用程序编程接口（API）允许用户自定义和执行复杂的模拟任务，并将S-Litho集成到应用程序流中。S-Litho支持：

•在Linux®和Microsoft®Windows操作系统上使用多线程或分布式处理进行并行计算

•广泛支持脚本编写，包括Python™、MathWorks®MATLAB®和Tcl/Tk

这些功能正被用于将S-Litho与其他Synopsys工具对接：

•与Sentaurus TCAD工具的接口，实现设备技术协同优化（DTCO）流程

–Process Explorer用于设置基板形貌和多重图案化场景

–Sentaurus地形图用于物理蚀刻模拟，实现热点的3D光刻/蚀刻分析

•与Proteus掩模合成工具的接口，实现以布局为中心的模拟、严格的校正和验证

8、S-Litho/Proteus接口：布局环境、严格的验证和校正流程

S-Litho为Synopsys的布局编辑器Proteus WorkBench（PWB）提供了一个无缝接口，这是一个用于OPC开发和优化的驾驶舱工具。该界面使用户能够直接从全芯片布局环境中访问S-Litho模拟结果，如抗蚀剂轮廓或3D轮廓。结果与布局信息一起可视化，而复杂的模拟设置则隐藏在背景中。

S-Litho/Proteus界面允许用户在Proteus掩模合成应用程序中轻松切换快速紧凑模型和预测严格模型。在验证流程中，S-Litho的集成实现了对检测到的热点的无缝和自动验证，使用预测性严格模型来分析各种工艺条件或3D抗蚀剂轮廓行为。紧凑而严谨的模型结果存储在一个公共数据库中，可以独立评估，这大大缩短了热点审查过程中的工程时间

将S-Litho与Proteus OPC或Proteus ILT等布局校正工具相结合，有助于OPC解决方案的早期开发，因为早在紧凑型模型可用之前，就可以使用预测性、严谨的模型来创建和评估OPC选项。

此外，严格的模型可用于整合传统紧凑模型无法捕捉到的效应，例如植入层的晶片形貌（图4，右）。在CMOS图像传感器或显示器的制造中成功地部署了局部、严格的校正，显著提高了CD的均匀性。

闪电小编说明：

在不用进行繁琐的实验的情况下就能对工艺变化所产生的光刻性能方面的影响提供评估和预测，对复杂的工艺也具有完善的视觉方案，支持最先进工艺技术的仿真设置和分析功能，提供了许多预定义的分析功能，并支持对任何给定参数空间进行灵活的多维参数探索

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